复旦教授攻克难题，3nm芯片关键技术取得突破，国产芯片未来可期

近年来，芯片工艺制程的微缩令全球半导体领域陷入摩尔定律即将面临物理极限的瓶颈。但没有什么能够难倒行业巨头，台积电、三星、ASML包括各国相关研发团队，都在试图从新的角度革新半导体芯片制造业。

尝试新的材料取代硅便是思路之一，目前我国在这方面已经掌握领先全球的技术，实现了碳基晶圆的生产。

还有一种让芯片性能得到高度提升的方法，那就是改进晶体管技术。传统的FinFET晶体管技术在制程不断微缩的情况下，已经难以有新突破，故而相关企业或团队展开了对晶体管新型技术的研发探索。

12月17日快科技传来消息，我国复旦大学微电子学院宣布，该校周鹏教授的团队成功攻克难题，在3nm芯片关键技术上取得重大突破。

据悉，周鹏教授的团队针对具有重大需求的3-5nm节点晶体管技术，验证了双层沟道厚度分别为0.6/1.2nm的围栅多桥沟道晶体管，实现低泄漏电流与高驱动电流的融合。

目前，这一相关成果已经第66界IEDM国际电子器件大会上在线发表。笔者了解到，这类多桥沟道晶体管技术简称GAA技术，相比传统的FinFET晶体管，采用GAA技术的晶体管能够实现更好的栅控能力以及漏电控制。

数据显示，周鹏教授团队设计并制造出的超薄围栅双桥沟道晶体管的驱动电流，与普通MoS2晶体管相比实现了400%的大幅提升，而且漏电流降低了两个数量级。

这意味着，GAA晶体管能够让摩尔定律在5nm以下的高精度工艺节点上更好地延续。

提及此，可能不少读者都对GAA技术感到一丝熟悉。在复旦教授团队实现此项技术突破之前，行业巨头三星和台积电早已掌握GAA晶体管，前者还冒险将GAA新技术应用到3nm芯片的量产中，计划2022年投产。

而台积电则相对保守，在3nm工艺上仍选择使用传统且成熟的FinFET晶体管。

至于大陆的芯片代工巨头中芯国际，根据梁孟松透露，该公司的5nm和3nm最关键、最艰巨的八大项技术已经有序展开，只待EUV光刻机到货。

由此可见，虽然目前仍落后于海外甚至台企，但在全国上下的共同努力下，国产芯片未来可期。